MOSFET de puissance SiC à canal N

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de ROHM Semiconductor disposent d’un courant de queue sans courant pendant la commutation, ce qui permet un fonctionnement plus rapide et une perte de commutation réduite. Leur faible résistance à l’état passant et leur taille compacte de puce assurent une capacité et une charge de grille faibles. Ces MOSFET de puissance SiC de ROHM présentent une augmentation minimale de la résistance en marche et fournissent une plus grande miniaturisation du boîtier. Cela permet d’économiser plus d’énergie que les composants Si standard, dans lesquels la résistance à l'état passant peut plus que doubler avec une température accrue.