Semi-conducteur Fairchild

IGBT à arrêt de champ 650 V de Fairchild

La technologie d'arrêt de champ de l'IGBT 650 V de Fairchild permet aux concepteurs de développer un système de grande fiabilité avec des tensions d'entrée plus élevées tout en offrant une performance optimale, dans les applications où une faible conduction et de faibles pertes de commutation sont essentielles. L'IGBT 650 V peut soutenir des courants élevés et offre un coefficient de température positif, une distribution étroite des paramètres et une large zone de fonctionnement sûr. L'augmentation de la tension de claquage améliore la fiabilité dans les zones où la température ambiante est négative ; à mesure que la température chute, la tension de blocage de l'IGBT et du FRD diminue également, faisant de ce composant un élément particulièrement bénéfique pour la réalisation d'onduleurs photovoltaïques en climat froid. Puisque la sélection attentive des IGBT et des diodes de roue libre est essentielle pour un rendement maximal, l'IGBT 650 V offre une récupération rapide et douce qui réduit la puissance dissipée et permet de faibles pertes de mise en marche et d'arrêt.

Ressources supplémentaires
Bases IGBT Bases IGBT
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Les IGBT à arrêt de champ 650 V FGAFx0n60 de Fairchild utilisent une technologie IGBT de tranchée à arrêt de champ innovante, la nouvelle série d'IGBT seconde génération et arrêt de champ de Fairchild® offrent des performances optimales aux onduleurs solaires, systèmes UPS, appareils de soudage et applications PFC où un niveau faible de conduction et de pertes en commutation est essentiel.


Ressources supplémentaires
Fiche technique FGAF20N60SMD
Fiche technique FGAF40N60SMD
Caractéristiques
  • Température de jonction maximum : TJ = 175 °C
  • Coefficient de température positif pour une mise en parallèle facile
  • Capacité d'intensité élevée
  • Faible tension de saturation
  • Impédance d’entrée élevée
  • Commutation rapide
  • Distribution de paramètres étroite
  • Conforme à la directive RoHS
 Applications
  • Machine à coudre
  • CNC
  • Appareils ménagers
  • Commande moteur
 

Les IGBT à arrêt de champ 650 V FGD3N60 de Fairchild utilisent une technologie IGBT NPT avancée. Les IGBT NPT Fairchild® offrent la meilleure performance pour les applications d'inverseurs à faible puissance où de faibles pertes et une robustesse face aux courts-circuits sont essentielles.


Ressources supplémentaires
Fiche technique FGD3N60UNDF
 IGBT à arrêt de champ 650 V FGD3N60 de Fairchild
Commander un IGBT à arrêt de champ 650 V FGD3N60 de Fairchild Afficher le détail du produit
Caractéristiques
  • Court-circuit évalué 10 µs
  • Capacité d'intensité élevée
  • Impédance d’entrée élevée
  • Commutation rapide
  • Conforme à la directive RoHS
 Applications
  • Machine à coudre
  • CNC
  • Appareils ménagers
  • Commande de moteurs
 

Les IGBT à arrêt de champ 650 V FGHx0T65 de Fairchild utilisent une technologie IGBT de tranchée à arrêt de champ innovante, la nouvelle série d'IGBT à tranchée et arrêt de champ de Fairchild® offrent des performances optimales aux onduleurs solaires, systèmes UPS, appareils de soudage et générateur d'alimentation numérique où un niveau faible de conduction et de pertes en commutation est essentiel.


Ressources supplémentaires
Fiche technique FGH40T65UPD
Fiche technique FGH50T65UPD
 IGBT à arrêt de champ 650 V FGHx0T65 de Fairchild
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Caractéristiques
  • Température de jonction maximum : TJ = 175 °C
  • Coefficient de température positif pour une mise en parallèle facile
  • Capacité d'intensité élevée
  • Faible tension de saturation
  • 100% des pièces testées ILM(2)
  • Impédance d’entrée élevée
  • Distribution de paramètres étroite
  • Conforme à la directive RoHS
  • Robustesse face aux courts-circuits > 5 µs à 25 °C
 Applications
  • Inverseur solaire
  • Onduleurs
  • Appareil de soudure
  • Générateur de puissance numérique
  • Télécommunications
  • ESS

Les IGBT à arrêt de champ 650 V FGA30N65SMD de Fairchild utilisent une technologie IGBT de tranchée à arrêt de champ innovante, la nouvelle série d'IGBT seconde génération et arrêt de champ de Fairchild® offrent des performances optimales aux onduleurs solaires, systèmes UPS, appareils de soudage, échauffement inductif, télécommunications, ESS et applications PFC où un niveau faible de conduction et de pertes en commutation est essentiel.


Ressources supplémentaires
Fiche technique FGA30N65SMD

 Caractéristiques
  • Température de jonction maximum : TJ = 175 °C
  • Coefficient de température positif pour une mise en parallèle facile
  • Capacité d'intensité élevée
  • Tension de saturation basse : VCE(sat) =1,98 V (std) à IC = 30 A
  • Commutation rapide
  • Distribution de paramètres étroite
  • Conforme à la directive RoHS

  Applications
  • Inverseur solaire
  • Onduleurs
  • Appareil de soudure
  • PFC
  • Chauffage par injection
  • Télécommunications
  • ESS

IGBT à arrêt de champ 650 V FGA30N65SMD Fairchild 
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Fairchild FGA6560WDF 650V 60A Field Stop Trench IGBT uses novel field stop IGBT technology. Cette nouvelle série d'IGBT à arrêt de champ de troisième génération offre des performances optimales pour les applications soudées dans lesquelles de faibles pertes de conduction et de commutation sont essentielles.


Ressources supplémentaires
Fiche technique FGA6560WDF

Caractéristiques
  • Température de jonction maximum : TJ = 175 °C
  • Coefficient de température positif pour une mise en parallèle facile
  • Capacité d'intensité élevée
  • Faible tension de saturation
  • 100% des pièces testées ILM(2)
  • Impédance d’entrée élevée
​

  • Distribution de paramètres étroite
  • Conforme à la directive RoHS
  • Robustesse face aux courts-circuits > 5 µs à 25 °C

Applications
  • Seulement pour soudage
IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée 650 V FGA6560WDF de Fairchild
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  • ON Semiconductor