Infineon Technologies MOSFET au carbure de silicium CoolSiC™ 650 V G2
Les MOSFET CoolSiC™ G2 de 650 V au carbure de silicium d'Infineon Technologies tirent parti des capacités de performance du carbure de silicium en permettant une perte d'énergie inférieure, ce qui se traduit par une efficacité supérieure lors de la conversion d'énergie.Les MOSFET CoolSiC 650 V G2 d'Infineon offrent des avantages pour diverses applications de semiconducteur d'alimentation comme le photovoltaïque, le stockage d'énergie, le chargement de VE CC, les entraînements à moteur et les alimentations électriques industrielles. Une station de chargement rapide CC pour véhicules électriques équipée du CoolSiC G2 permet de réduire les pertes d'énergie de 10 % par rapport aux générations précédentes tout en permettant une capacité de chargement plus élevée sans compromettre les facteurs de forme.
Caractéristiques
- Tension de pilotage flexible et compatible avec le schéma de pilotage bipolaire
- Tension de seuil de grille de référence, V GS (th) = 4,5 V
- Robustes contre la mise sous tension parasite même avec une tension de grille d'extinction de 0 V
- Tension de modulation flexible et compatible avec un schéma de modulation bipolaire
- Pertes de commutation ultra-faibles
- Exploitation robuste de la diode de corps lors d'événements de commutation difficile
- .Technologie d’interconnexion XT pour d’excellentes performances thermiques
Applications
- SMPS
- Inverseurs solaires photovoltaïques
- Stockage d’énergie et formation de batterie
- ASI
- Infrastructure de charge de véhicules électriques
- Commandes de moteurs
Vidéos
Ressources supplémentaires
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Outils de développement
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