IXYS IGBT à tranchée 650 V à 1 200 V XPT™ GenX4™
Les IGBT à tranchée IXYS 650 V à 1 200 V XPT™ GenX4™ sont développées à l'aide d'une technologie propriétaire à plaquette mince XPT et d'un processus de 4e génération (GenX4™) de tranchée IGBT à la pointe de la technologie. Ces transistors bipolaires à portes isolées présentent une résistance thermique réduite, de faibles pertes énergie, une commutation rapide, un faible courant résiduel et de hautes densités de courant. Ces composants présentent une robustesse exceptionnelle pendant la commutation et en cas de court-circuit.
Ces IGBT à trou traversant offrent également des zones de fonctionnement sûres à inversion carrée (RBSOA) jusqu'à une tension de rupture de 1 200 V, ce qui les rend idéaux pour les applications de commutation dure sans amortisseur. L'IGBT ultra basse tensionfournit jusqu'à 5 kHz en commutation. Les IGBT à tranchée XPT de 4ème génération d'IXYS comprennent un coéfficient de température de tensioncollecteur-émetteur positif . Cela permet aux concepteurs d'utiliser plusieurs dispositifs en parallèle pour répondre aux exigences de courant élevé et aux faibles charges de grille, ce qui aide à réduire les exigences de commande de grille et les pertes de commutation.
Les applications typiques comprennent les chargeurs de batteries, les ballasts de lampes, les entraînements à moteur, les convertisseurs de puissance, les circuits de correction du facteur de puissance (PFC), les interrupteurs d'alimentations électrique (SMPS), les alimentations sans interruption (ASI) et les machines à souder.
Caractéristiques
- Développé à l'aide de la technologie propriétaire XPT et du processus de pointe de tranchée IGBT de 4e génération (GenX4™)
- Faibles tensions à l'état passant - VCE(sat)
- Jusqu'à 5 kHz en commutation
- Coefficient thermique positif de VCE(sat)
- Optimisé pour la commutation à grande vitesse (jusqu'à 60 kHz)
- Capacité de court-circuit (10 µs)
- RBSOA carrée
- Diodes antiparallèles ultra-rapides (Sonic-FRD™)
- Capacités de commutation dure
- Densités de haute puissance
- Stabilité en température de la tension directe de la diode VF
- Exigences de pilote de grille faibles
- Boîtiers aux normes internationales
Applications
- Chargeurs de batteries
- Ballasts de lampes
- Commandes de moteurs
- Onduleurs de puissance
- Circuits PFC
- SMPS
- Onduleurs (ASI)
- Machines de soudage
Caractéristiques techniques
- Commun
- 1 200 V VCES
- 20 A IC110
- IXYA20N120A4HV
- ≤1,9 V VCE(sat)
- 160 ns tfi(typ)
- IXYA20N120B4HV
- ≤2,1 V VCE(sat)
- 90 ns tfi(typ)
- IXYA20N120C4HV
- ≤2,5 V VCE(sat)
- 58 ns tfi(typ)
Vidéos
IGBT apparentés
IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs
Designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications.
IXYS IGBT à tranchée XPT™ GenX5™
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Offrent une Vsat ultra-faible conçue pour commuter jusqu'à 5 kHz.
| Numéro de pièce | Fiche technique | Description |
|---|---|---|
| IXYH100N65C5 |  |
IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD |
| IXYA50N65C5 | |
IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263 |
| IXYP48N65A5 | |
IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220 |
| IXYA48N65A5 | |
IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263 |
| IXYA55N65B5 | |
IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263 |
| IXYH85N120A4 | |
IGBTs TO247 1200V 85A XPT |
| IXYK140N120A4 | |
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4 |
| IXXX160N65B4 | |
IGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
| IXXH110N65C4 | |
IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT |
| IXXH80N65B4 | |
IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT |