Analog Devices Inc. Carte d'évaluation EVAL-LTC7891-AZ
La carte d’évaluation EVAL-LTC7891-AZ d'Analog Devices Inc. dispose du contrôleur FET synchrone abaisseur LTC7891 de 100 V. Le LTC7891 est spécialement conçu pour piloter des FET au GaN jusqu'à 100 V en toute sécurité et facilement via des commutateurs d’amorçage optimisés en interne et un contrôle intelligent du temps mort. Les pilotes de grille divisée permettent de régler facilement l’activation et l’arrêt des FET. De plus, le CI dispose d’un faible IQ, d’une fréquence de commutation programmable/synchronisable jusqu’à 3 MHz, d’un spectre étalé et d’un petit boîtier (4 x 5 mm) QFN à 28 fils mouillable sur le côté. Ces caractéristiques permettent diverses applications industrielles, militaires, médicales et de télécommunications.La carte EVAL-LTC7891-AZ fonctionne sur une plage de tension d’entrée de 15 à 72 V, générant une sortie 12 V de 20 A. Le LTC7891 dispose d’une référence de tension de précision, qui peut générer une tension de sortie avec une tolérance 2 % dans toutes les conditions de fonctionnement. La carte EVAL-LTC7891-AZ d’Analog Devices Inc. est réglée sur la fréquence de commutation 500 kHz, ce qui se traduit par un circuit compact et efficace. Le convertisseur atteint un rendement supérieur à 96 % avec une charge de 20 A à VIN en plein fonctionnement ainsi qu'un rendement maximal de plus de 99 %.
Cette carte peut être facilement modifiée pour réguler les tensions de sortie de 0,8 à 60 V. Le circuit d’évaluation a été spécialement conçu avec un facteur de forme de FET EPC au GaN de 100 V. Divers FET à empreinte similaire peuvent être utilisés pour s’adapter à un large éventail d’applications.
Caractéristiques
- Contrôleur de FET au GaN synchrone abaisseur LTC7891 de 100 V intégré
- Fonctionne sur une plage de tension d’entrée de 15 à 72 V
- Génère une sortie 12 V, 20 A
- Fréquence de commutation 500kHz
- Circuit d’évaluation spécialement conçu avec un facteur de forme de FET EPC au GaN de 100 V
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Automobile
- Télécommunications
- Centres de données
- GaN (Gallium Nitride)
Présentation générale
