IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7
Le MOSFET SiC IXSA80N120L2-7 d'IXYS est un MOSFET SiC à commutateur unique de qualité industrielle présentant des caractéristiques de cyclage de puissance et un comportement de commutation très rapide à faibles pertes. Ce MOSFET présente de faibles pertes de conduction, de faibles besoins en puissance de commande de grille et de faibles contraintes de gestion thermique, et est optimisé pour le contrôle de grille. Le MOSFET SiC IXSA80N120L2-7 est utilisé pour les alimentations électriques industrielles à découpage à haute vitesse. Ce MOSFET SiC est idéal pour les onduleurs solaires, les alimentations à découpage, les ASI, les entraînements à moteur, les convertisseurs CC/CC, les infrastructures de chargement de véhicules électriques et le chauffage par induction.
Caractéristiques
- Tension drain-source de 1 200 V
- Résistance à l'état passant drain-source RDS(on) de 30 mΩ
- Technologie MOSFET SiC avec commande de grille de -3/+15 à 18 V
- Capacité d'entrée faible de 3 000 pF de Ciss
- Température de jonction virtuelle maximale Tvj = +175 °C
- Haute tension de blocage avec faible résistance à l'état passant
- Commutation à haute vitesse avec faible capacité
- Diode de corps intrinsèque ultra-rapide avec Trr = 54,8 ns
- Connexion de source Kelvin
- Niveau de sensibilité à l'humidité 1 (MSL 1)
- Dissipation d'énergie totale de 395 W à Tc = 25 °C
Applications
- Onduleurs solaires
- Alimentations électriques à découpage
- Onduleurs (ASI)
- Entraînements à moteur
- Convertisseurs CC/CC
- Infrastructure de chargement des véhicules électriques
- Chauffage par induction
Schéma des dimensions
MOSFET SiC associés
IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7
Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.
Publié le: 2025-02-28
| Mis à jour le: 2026-04-13