Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB4R8-040CBA
Le FET GaN bidirectionnel GANB4R8-040CBA de Nexperia est un transistor à haute mobilité électronique en nitrure de gallium (GaN) bi-directionnel de 40 V, 4,8 mΩ. Le GANB4R8-040CBA est un FET émode normalement éteint qui offre des performances supérieures. Le GANB4R8-040CBA de Nexperia est disponible dans un boîtier WLCSP (Wafer-Level puce Scale).
Caractéristiques
- Mode d'amélioration - commutateur d'alimentation normalement éteint
- Composant bidirectionnel
- Capacité de retard de commutation ultra-élevée
- Résistance à l'état passant ultra-basse
- Sans Pb, conforme aux directives RoHS et REACH
- Haute efficacité et densité haute puissance
- Boîtier WLCSP (Wafer Level Chip-Scale) 2,1 mm x 2,1 mm
Applications
- Commutateur de charge côté haut
- Protection OVP dans l'accès USB du smartphone
- Circuits de commutateur d'alimentation
- Système d'alimentation en veille
Publié le: 2024-06-04
| Mis à jour le: 2024-10-01