onsemi Diodes EliteSiC (carbure de silicium) 1 700 V
Les diodes EliteSiC (carbure de silicium) 1 700 V d'onsemi utilisent une technologie qui offre des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. Les diodes EliteSiC 1 700 V d'onsemi se distinguent par l'absence de courant de récupération inverse, des caractéristiques de commutation qui ne varient pas en fonction de la température et d'excellentes performances thermiques. Les avantages du système sont les suivants : haute efficacité, fréquence de fontionnementrapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et de la taille du système, et meilleure rentabilité.
Caractéristiques
- Facile à mettre en parallèle
- Capacité de courant de surtension élevée
- Température de jonction maximale de +175 °C
- Aucune récupération inverse ni directe
- Fréquence de commutation plus élevée
- Faible tension directe (VF)
- Coefficient de température positif
- Certifié AEC-Q101 et compatible PHPP
Applications
- Automobile
- Convertisseurs CC-CC de véhicule électrique/hybride (HEV-EV)
- Chargeurs embarqués VHE-VE
- Alimentation industrielle
- Correction du facteur de puissance (PFC)
- Applications solaires
- Alimentations sans interruption (ASI)
- Soudage
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Publié le: 2020-04-06
| Mis à jour le: 2024-06-17