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onsemi IGBT AFGHL40T65SQD et AFGHL50T65SQD

Les IGBT AFGHL40T65SQD et AFGHL50T65SQD d'onsemi sont des IGBT de 4e génération, à arrêt de champ et à haut débit, idéaux pour les applications automobiles. Les IGBT AFGHL40T65SQD et AFGHL50T65SQD offrent une fiabilité plus élevée et une performance optimale pour les commutations souples et dures. Les IGBT AFGHL40T65SQD et AFGHL50T65SQD d'Onsemi sont qualifiés AEC Q101 et offrent des pertes de commutation et de conduction très faibles.

Caractéristiques

  • Certifiés AEC-Q101
  • Température de jonction maximale de +175 °C
  • Coefficient de température positif (CTP) pour un fonctionnement parallèle aisé
  • Capacité de courant élevé
  • 1,6 V standard VCE(Sat) à une faible tension de saturation à 40 A IC
  • 100 % des pièces sont testées pour ILM
  • Commutation rapide
  • Distribution étroite des paramètres
  • Conforme à la directive RoHS

Applications

  • Commutation dure
  • Convertisseurs CC-CC
  • Correction du facteur de puissance (PFC) sans pont de type totem
  • CTP
  • Automobile
    • Chargeurs hybride /véhicule électrique (HEV-EV) embarqués
    • Convertisseurs CC-CC HEV-EV

Caractéristiques techniques

  • AFGHL40T65SQD
    • Tension collecteur-émetteur 650 V
    • Tension grille-émetteur de ±20 V
    • Tension grille-émetteur transitoire de ±30 V
    • Courant collecteur de 40 A à TC = +100°C
    • Courant du collecteur de 80 A à TC = +25 °C
    • Courant de collecteur pulsé 160 A
    • Courant direct de la diode 80 A à TC = +25 °C
    • Courant direct de la diode 20 A à TC = +100 °C
    • Courant direct maximum de la diode de 160 A en mode pulsé
    • Puissance dissipable admissible à 238 W à TC = +25 °C
    • Puissance dissipable admissible à 119 W TC = +100 °C
    • Jonction/plage de température de stockage d'exploitation de-55 à +175°C
    • Température maximale du fil de soudage à 1/8" du boîtier pendant 5s à +300°C
  • AFGHL50T65SQD
    • Tension du collecteur-émetteur à 650 V
    • Tension grille-émetteur de ±20 V
    • Tension grille-émetteur transitoire de ±30 V
    • Courant du collecteur de 50 A à TC = +100 °C
    • Courant du collecteur de 80 A à TC = +25 °C
    • Courant de collecteur pulsé 200 A
    • Courant direct de la diode 80 A à TC = +25 °C
    • Courant direct de la diode 30 A à TC = +100 °C
    • Courant direct maximum pulsé de la diode 200 A
    • Puissance dissipable admissible à 268 W à TC = +25 °C
    • Puissance dissipable admissible à 134 W TC = +100 °C
    • Jonction d'exploitation/Plage de température de stockage de 55°C à+175 °C
    • Température maximale du fil de soudage à 1/8" du boîtier pendant 5s à +300°C

Fiches techniques

Présentation générale

onsemi IGBT AFGHL40T65SQD et AFGHL50T65SQD
Publié le: 2020-06-16 | Mis à jour le: 2024-06-10