onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) AFGB30T65RQDN d' onsemi offre des performances optimales pour les applications automobiles. Cet IGBT présente une capacité de courant élevé, une commutation rapide, une impédance d'entrée élevée et une distribution de paramètres resserrée. L'IGBT AFGB30T65RQDN est protégé contre les courts-circuits et offre un facteur de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et commutation. Cet IGBT est conforme à la qualification AEC-Q101, sans Pb et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent le compresseur E pour véhicules hybrides/électriques et le réchauffeur CTP pour véhicules hybrides/électriques.
Caractéristiques
- Température de jonction maximale (TJ) de 175 °C
- Coefficient de température positif pour une exploitation en parallèle facile
- Capacité de courant élevé
- Impédance d'entrée élevée
- Commutation rapide
- Distribution de paramètres étroite
- Tension de saturation faible : VCE(Sat) = 1,58 V (typ.) @ IC = 30 A
- Qualification AEC-Q101
- Sans Pb
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Compresseur électronique pour véhicules hybrides et électriques
- Réchauffeur CTP pour véhicules hybrides et électriques
Ressources supplémentaires
Publié le: 2025-11-04
| Mis à jour le: 2025-12-29