onsemi Diode Schottky au carbure de silicium (SiC) NDSH20120CDN
La diode Schottky au carbure de silicium (SiC) NDSH20120CDN d'onsemi offre des performances de commutation et une fiabilité supérieures par rapport au silicium. Le boîtier NDSH20120CDN TO-247-3LD dispose d’aucun courant de récupération inverse, de caractéristiques de commutation indépendantes de la température et d’excellentes performances thermiques. Les avantages du système incluent un rendement élevé, une fréquence de fonctionnement rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une réduction de la taille et du coût du système. Cette diode EliteSiC offre un coefficient de température positif et une facilité de mise en parallèle.
Caractéristiques
- Température de jonction maximale de +175 °C
- Valeur nominale en avalanche 49 mJ, simple impulsion
- Capacité de courant de choc élevée
- Coefficient de température positif
- Facile à mettre en parallèle
- Aucune récupération inverse/directe
- Boîtier TO-247-3LD
- Sans halogénure et conforme à la directive RoHS avec exemption 7 A, 2LI sans plomb (interconnexion de deuxième niveau)
Applications
- À usage général
- Alimentations à découpage (SMPS), onduleurs solaires et alimentations sans interruption (ASI)
- Circuits de commutation de puissance
Caractéristiques techniques
- Tension inverse répétitive de crête maximale de 1200 V
- Plage de courant direct rectifié continu maximal
- De 20 A à 24 A par dispositif
- De 10 A à 12 A par patte
- Courant de choc direct maximal
- Plage de crête non répétitive de 459 A à 564 A
- 59 A non répétitif
- 31 A répétitif
- Puissance dissipable admissible
- 94 W à +25 °C
- 16 W à +150 °C
- Plage de tension directe standard de 1,39 V à 1,94 V
- Courant inverse maximal de 200 µA
- Charge capacitive totale standard de 46 nC
- Plage de capacité totale standard de 32 pF (à 800 V) à 680 pF (à 1 V)
- Résistance thermique maximum
- Jonction à boîtier de 0,65 °C/W par dispositif
- Jonction à boîtier de 1,6 °C/W par patte
- Jonction à température ambiante de 40 °C/W
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C
Solutions connexes
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2024-02-09
| Mis à jour le: 2024-06-19