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onsemi MOSFET de puissance N voies double NTJD5121N/NVJD5121N

Les MOSFET de puissance à canal N doubles NTJD5121N/NVJD5121N d'onsemi disposent d’un faible RDS (on), seuil de grille et capacité d’entrée. Les MOSFET NTJD5121N/NVJD5121N d'onsemi disposent d’une tension drain-source de 60 V et d’un courant de drain continu maximal de 295 μA. Les NTJD5121N/NVJD5121N sont homologués AEC-Q101 et compatibles PHPP, idéaux pour les applications automobiles.

Caractéristiques

  • RDS(on) faible
  • Seuil de grille faible
  • Faible capacité d'entrée
  • Grille protégée contre les ESD
  • Préfixe NV pour l’automobile et d’autres applications nécessitant un site unique et des exigences de changement de contrôle ; certifié AEC-Q101 et compatible PHPP
  • Dispositif sans plomb

Applications

  • Commutateur de charge côté bas
  • Convertisseurs CC-CC (circuits buck et boost)

Caractéristiques techniques

  • Courant de drain continu maximal de 295 A
  • RDS (ON) maximum de 1,6 Ω à 10 V et 2,5 Ω à 4,5 V
  • Tension drain-source de 60 V
  • Tension grille-source de ±20 V
  • Courant de drain pulsé de 900 A
  • Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage de -55 °C à +150 °C

Brochage

onsemi MOSFET de puissance N voies double NTJD5121N/NVJD5121N
Publié le: 2023-12-26 | Mis à jour le: 2024-02-06