onsemi MOSFET de puissance à canal N NTMFS0D8N02P1E

Le MOSFET NTMFS0D8N02P1E d'Onsemi présente une conception compacte, une excellente performance thermique et une petite empreinte dans un boîtier avancé SO-8FL 5 mm x 6 mm. Ce MOSFET monocanal N offre une faible Qg/capacité pour minimiser les pertes de pilote et fournir un RDS(on) ultra-faible pour réduire au minimum les pertes de conduction. Le MOSFET NTMFS0D8N02P1E Onsemi est idéal pour les convertisseurs CC-CC, les commutateurs de charge d'alimentation, le contrôle de moteur, la gestion de batterie, les ordinateurs portables et de bureau, les serveurs, les télécommunications, l'informatique et les dispositifs de communication.

Caractéristiques

  • Empreinte de 5 mm x 6 mm pour une conception compacte utilisant la technologie avancée SO-8FL
  • RDS(on) bas pour limiter les pertes de conduction
  • Excellente performance thermique
  • QG et capacité faibles pour limiter les pertes de pilotes
  • Composant sans plomb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Convertisseurs CC-CC
  • Commutateurs de charge d'alimentation
  • Contrôle de moteur
  • Gestion de batterie
  • Ordinateurs portables et de bureau
  • Télécommunications et serveurs
  • Dispositifs d'informatique et de communication

Configuration

Schéma - onsemi MOSFET de puissance à canal N NTMFS0D8N02P1E
Publié le: 2020-07-01 | Mis à jour le: 2024-05-23