onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTMT045N065SC1
Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) onsemi NTMT045N065SC1 utilisent une technologie qui fournit des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles de ceux au silicium simple. Les MOSFET onsemi présentent une basse résistance à l'état passant (ON) et une taille compacte de puces, garantissant de basses capacité et charge de grille. Ces composants présentent des avantages tels qu'un haut rendement, une fréquence de fonctionnement rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite.
Caractéristiques
- Rayonnement std. RDS(on) = 33 mΩ sous VGS = 18 V
- Rayonnement std. RDS(on) = 45 mΩ sous VGS = 15 V
- Charge de grille ultra-basse (QG(tot) = 105 nC)
- Faible capacité de sortie effective (COSS = 162 pF)
- Testé à 100 % en mode avalanche
- TJ = 175 °C
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- SMPS (alimentations à découpage)
- Onduleurs solaires
- ASI (alimentations sans interruption)
- Stockage d'énergie
Solutions connexes
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.
Publié le: 2022-11-14
| Mis à jour le: 2024-06-19