onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL
Le MOSFET de puissance monocanal NVMFS5832NL d’onsemi est un MOSFET à hautes performances conçu pour des applications à basse tension nécessitant une commutation de puissance efficace. Conçu avec une technologie à tranchées d’avant-garde, le NVMFS5832NL d’onsemi affiche une RDS(on) remarquablement faible de 4,2 mΩ à VGS = 10 V, permettant de réduire les pertes de conduction et des performances thermiques améliorées. Avec une tension drain-source maximale de 40 V et une tension de courant de drain continu pouvant atteindre 120 A, ce MOSFET est idéal pour les environnements exigeants tels que les convertisseurs CC-CC, le redressement synchrone et le contrôle de moteur. Le boîtier DFN de puissance compact de 5 mm x 6 mm garantit une densité à haute puissance et une excellente dissipation thermique tandis que la faible charge de grille du dispositif prend en charge une commutation rapide pour une efficacité améliorée dans des conceptions à haute fréquence.
Caractéristiques
- Dispositif de 40 V, 4,2 mΩ, 120 A
- Boîtier de style 1 488AA à boîte DFN5 (SO-8FL)
- Petite empreinte (5 mm x 6 mm) pour des conceptions compactes
- Faible RDS(on) permettant de minimiser les pertes de conduction
- QG et capacité faibles pour minimiser les pertes côté commande
- Produit à flancs mouillables
- Homologué AEC-Q101 et compatible PHPP
- Sans plomb et sans halogénure (Conforme à la directive RoHS)
Applications
- Modules de contrôle du moteur
- Modules de contrôle de la carrosserie
- Modules de contrôle du châssis
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source maximale de 40 V
- Tension grille-source maximale de ±20 V
- Courant de drain pulsé maximal de 557 A
- Courant de source de diode de corps maximal de 120 A
- Énergie d’avalanche drain-source maximale par impulsion unique de 134 mJ
- Caractéristiques hors tension
- Tension de rupture drain-source minimale de 40 V
- Coefficient de température de latension de rupture drain-source standard de 34,2 mV/°C
- Plage de courant de drain à tension de grille nulle maximale de 1 µA à 100 µA
- Courant de fuite grille-source maximum de ±100 nA
- Caractéristiques à l'état passant
- Plage de tension de seuil de la grille de 1,4 V à 2,4 V
- Coefficient de température de seuil négatif standard de 6,4 mV/°C
- Plage de résistance maximale drain-source de 4,2 mΩ à 6,5 mΩ
- Transconductance directe standard 21S
- Capacité standard
- Entrée 2 700 pF
- Sortie de 360 pF
- Transfert inverse de 250 pF
- Charges standards
- Plage de charge de grille totale de 25 nC à 51 nC
- Charge de grille de seuil de 2,0 nC
- Grille-source de 8,0 nC
- Grille-drain de 12,7 nC
- Tension de plateau standard de 3,2 V
- Caractéristiques de commutation
- Temps de retard de mise sous tension de 13 ns
- Temps de montée de 24 ns
- Temps de retard d’extinction de 27 ns
- Temps de descente de 8,0 ns
- Caractéristiques de la diode drain-source
- Tension directe de diode maximale de 1,2 V
- Temps de récupération inverse standard de 28,6 ns
- Temps de charge standard de 14 ns
- Temps de décharge standard de 14,5 ns
- Charge de récupération inverse standard de 23,4 nC
- Résistance thermique
- Carte jonction-montage de 1,2 °C/W (haut), régime établi
- Jonction-environnement de 40 °C/W, régime établi
- Plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à +175 °C
- Température maximale de brasage du fil de +260 °C
Schéma
MOSFET associés
onsemi N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs
Available in 5mm x 6mm flat-lead and dual-cool packages ideal for compact and efficient designs.
onsemi NVMx & NVTx Power MOSFETs
AEC−Q101 Qualified MOSFETs offering compact and efficient solutions for automotive applications.
Publié le: 2025-11-11
| Mis à jour le: 2025-11-19