onsemi MOSFET NVMFWS1D7N04XM
Le MOSFET NVMFWS1D7N04XM d'onsemi est un MOSFET à grille STD et canal N simple dans un boîtier SO8FL. Le dispositif se caractérise par une tension drain-source de 40 V et un courant de drain continu de 154 A, il est homologué AEC-Q101. Le MOSFET NVMFWS1D7N04XM d'onsemi minimise les pertes de pilotage et de conduction avec une capacité faible et RDS(on) faible. Le NVMFWS1D7N04XM tient sur une petite empreinte de 5 mm x 6 mm et est idéal pour l'entraînement de moteur, la protection de batterie et le redressement synchrone.
Caractéristiques
- RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction
- Faible capacité pour minimiser les pertes du pilote
- Empreinte réduite (5 mm x 6 mm) et conception compacte
- Homologué AEC-Q101 et capable de PHPP
- Sans plomb, sans halogène, sans BFR et conforme à la directive RoHS
Applications
- Entraînement de moteur
- Protection de la batterie
- Redressement synchrone
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source de 40 V
- Courant de drain continu de 154 A
- Résistance drain-source de 1,65 mΩ à VGS = 10 V
Style de boîtier
Publié le: 2025-04-03
| Mis à jour le: 2025-04-17