onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMJST1D3N04C
Le MOSFET de puissance à canal N NVMJST1D3N04C onsemi est disponible en boîtier TCPAK5x7 pour des conceptions compactes et efficaces et pour de hautes performances thermiques. Le NVMJST1D3N04C est certifié AEC-Q101 et compatible PPAP. Le MOSFET NVMJST1D3N04C onsemi est idéal pour les applications automobiles nécessitant une fiabilité améliorée au niveau de la carte.
Caractéristiques
- Faible encombrement (5 mm x 7 mm) pour une conception compacte
- RDS(on) faible pour limiter les pertes en conduction
- QG et capacité faibles pour limiter les pertes de pilote
- Boîtier refroidi par le haut TCPAK57 5 mm x 7 mm
- Qualifié AEC-Q101 et compatible PHPP
- Ces dispositifs sont sans Pb et sont conforme à la directive RoHS
Applications
- Commutateurs d'alimentation
- Pilote côté haut
- Pilote côté bas
- Ponts en H
- Protection d'inversion de la batterie
- Alimentations de commutation
Caractéristiques techniques
- Tension de drain vers la source de 40 V
- tension grille-source ±20 V
- courant de drain continu 386A
- 1,39 mohm de résistance sous 10 V entre drain-source à l’état passant
Style de boîtier
Caractéristiques thermiques
Publié le: 2024-05-16
| Mis à jour le: 2024-06-07