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onsemi MOSFET de puissance NVTYS014N08HL

Le MOSFET de puissance NVTYS014N08HL Onsemi est un MOSFET monocanal N 80 V, 13,9 mΩ et 40 A construit avec une conception compacte et efficace pour de hautes performances thermiques. Ce MOSFET dispose d’une faible RDS (ON) pour minimiser les pertes de conduction et d’une faible capacité pour minimiser les pertes de pilote. Le MOSFET de puissance NVTYS014N08HL est homologué AEC-Q101 et compatible PPAP. Ce MOSFET est adapté à la protection inverse de la batterie, aux commutateurs d’alimentation, aux alimentations à commutation et autres applications automobiles.

Caractéristiques

  • Faible encombrement (3,3 mm x 3,3 mm) pour une conception compacte
  • Faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
  • Faible capacité pour minimiser les pertes du pilote
  • Tension drain-source (VDSS) de 80 V
  • Courant de drain continu (ID) de 40 A à tC = 25 °C
  • Résistance à l’état passant drain-source (RDS (on)) de 13,9 mΩ
  • Boîtier LFPAK33
  • Certifié AEC-Q101 et compatible PPAP
  • Sans plomb et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Protection d'inversion de la batterie
  • Commutateurs d’alimentation (comme les pilotes côté haut, les pilotes côté bas et le pont en H)
  • Pilotes de solénoïdes
  • Contrôle de moteur
  • Commutateurs de charge
  • Alimentations de commutation

Dimensions du boîtier

Plan mécanique - onsemi MOSFET de puissance NVTYS014N08HL
Publié le: 2024-02-19 | Mis à jour le: 2024-02-28