onsemi Module NVXK2TR40WXT en carbure de silicium (SiC)
Le module NVXK2TR40WXT en carbure de silicium (SiC) d’Onsemi est un module de puissance EliteSiC à double demi-pont de 1 200 V, 40mΩ et 27 A, logé dans un boîtier DIP (dual Inline Package) APM32. Ce module en SiC est conçu de manière compacte pour avoir une faible résistance totale de module. Le module d’alimentation NVXK2TR40WXT est homologué pour l’automobile selon les normes AEC-Q101 et AQG324. Ce module d’alimentation est sans plomb, conforme aux directives RoHS et UL94V-0. Le module d’alimentation MOSFET EliteSiC NVXK2TR40WXT est idéalement utilisé dans les alimentations CC-CC et les chargeurs embarqués dans les applications pour véhicules électriques.
Caractéristiques
- Module d'alimentation à double demi-pont en carbure de silicium (SiC) DIP
- Tension drain-source (VDSS) de 1 200 V
- Courant de drain continu (ID) de 27 A
- Résistance à l’état passant drain-source (RDS(on)) de 40 mΩ (standard)
- Plage de températures de jonction de fonctionnement (TJ) de -55 à 175 °C
- Ligne de fuite et distance d'isolement conformes aux normes CEI 60664-1 et CEI 60950-1
- Conception compacte pour une faible résistance totale du module
- Sérialisation du module pour une traçabilité complète
- Sans plomb
- Conforme aux directives RoHS et UL94V-0
- Homologué pour l’automobile selon AEC-Q101 et AQG324
Applications
- Chargeur CC/CC HT et embarqué pour EV-PHEV
- Chargeur embarqué de 11 kW à 22 kW pour VE-PHEV
Module MOSFET SiC à demi-pont
Modules associés
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Module d'alimentation EliteSiC à double demi-pont 1 200 V, 80 mΩ et 20 A, logé dans un boîtier à double ligne (DIP).
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Module d'alimentation à pont complet de 1 200 V, 80 mΩ et 31 A, logé dans un boîtier DIP (Dual Inline Package).
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Module de puissance à pont triphasé 1 200 V, 40 mΩ et 55 A, logé dans un boîtier DIP (Dual Inline Package).
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modules 1 200 V de puissance à pont triphaséΩ, 80 m, logés dans un boîtier DIP (double ligne) A .
Publié le: 2024-08-02
| Mis à jour le: 2026-04-20