Retour à onsemi

onsemi FET SiC UF3C en boîtier D2-PAK

Les SiC FET UF3C de Qorvo en boîtiers D2-PAK-3L et D2-PAK-7L à montage en surface sont basés sur une configuration de circuit « cascode » unique et disposent d’une excellente récupération inverse. Dans la configuration de circuit cascode, un JFET SiC normalement activé est co-emballé avec un MOSFET Si pour produire un dispositif SiC FET normalement éteint. Ces FET SiC offrent une diode à faible corps, une faible charge de grille et une tension de seuil de 4,8 V qui permet de piloter de 0 V à 15 V. Ces composants SiC FET D2-PAK sont protégés contre les DES et fournissent une ligne de fuite du boîtier et une distance de dégagement de >6,1 mm. Les caractéristiques standard du pilote de grille du FET sont des remplacements directs pour les IGBT Si, le FET Si, les MOSFET SiC ou la super-jonction Si. Ils sont disponibles pour des variantes de tension de claquage drain-source de 1 200 V et 650 V et sont idéaux pour une utilisation pour les environnements contrôlés tels que l’alimentation des télécommunications et des serveurs, les alimentations industrielles, les entraînements de moteurs et le chauffage par induction.

Caractéristiques

  • D2PAK-3L à 650 V 30 mΩ, 40 mΩ et 80 mΩ
  • D2PAK-7L à 650 V 80 mΩ et 1 200 V 80 mΩ et 150 mΩ
  • Résistance à l’état passant standard RDS (on) de 85 mΩ
  • Température de fonctionnement maximale : 175 °C
  • Excellente récupération inverse de 140 nC (Qrr)
  • Diode à corps bas de 1,5 VFSD (tension directe)
  • Faible charge de grille 23 nC
  • Tension de seuil de 4,8 VG(th)
  • Ligne de fuite et distance de dégagement du boîtier > 6,1 mm
  • Broche source Kelvin pour des performances de commutation optimisées
  • Protection ESD

Applications

  • Alimentation des serveurs et télécoms
  • Sources d’alimentation industrielles
  • Modules de correction du facteur de puissance
  • Commandes de moteurs
  • Chauffage par induction

Produits associés

onsemi UF3C SiC FETs

Gate drive SiC devices that co-package G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET.

Learn Moreà propos de onsemi UF3C SiC FETs View Productslié à onsemi UF3C SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs

Deliver ultra-low gate charge and the best reverse recovery characteristics at the same time.

Learn Moreà propos de onsemi High-Performance SiC FETs View Productslié à onsemi High-Performance SiC FETs

onsemi FET SiC hautes performances 650 V et 1 200 V UF3SC

FET SiC avec RDS(on) de 7 mΩ à 45 mΩ conçu pour des vitesses de commutation élevées et des pertes de commutation réduites.

Learn Moreà propos de onsemi FET SiC hautes performances 650 V et 1 200 V UF3SC View Productslié à onsemi FET SiC hautes performances 650 V et 1 200 V UF3SC

onsemi FET SiC hautes performances UF3SC en boîtier D2-PAK

Basés sur une configuration de circuit « cascode » unique et disposent d’une excellente récupération inverse.

Learn Moreà propos de onsemi FET SiC hautes performances UF3SC en boîtier D2-PAK View Productslié à onsemi FET SiC hautes performances UF3SC en boîtier D2-PAK

Options de boîtiers

Ressources

View Results ( 8 ) Page
Numéro de pièce Fiche technique Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Pd - Dissipation d’énergie
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Fiche technique 1.2 kV 28.8 A 6 V 23 nC 190 W
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Fiche technique 650 V 27 A 6 V 23 nC 136.4 W
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Fiche technique 650 V 25 A 4 V 51 nC 115 W
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Fiche technique 650 V 65 A 4 V 51 nC 242 W
UF3C120400B7S UF3C120400B7S Fiche technique 1.2 kV 5.9 A 6 V 22.5 nC 100 W
UF3C170400B7S UF3C170400B7S Fiche technique 1.7 kV 7.6 A 6 V 23.1 nC 100 W
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Fiche technique 1.2 kV 17 A 4.4 V 25.7 nC 136 W
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Fiche technique 650 V 41 A 4 V 51 nC 176 W
Publié le: 2021-01-12 | Mis à jour le: 2025-07-15