Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD0020

Les transistors de puissance RF QPD0020 de Qorvo sont des transistors discrets à haute mobilité d'électrons (HEMT), 35 W, au nitrure de gallium (GaN), non appariés, fonctionnant entre le CC et 6 GHz à partir d'un rail de tension d'alimentation de +48 V. Ces composants sont adaptés aux applications de type station de base, radar et équipement de télécommunications. Ces transistors peuvent fonctionner mode onde entretenue (CW) et en mode pulsé. Le QPD0020 peut être utilisé dans un montage de Doherty pour réaliser l'étage final de l'amplificateur de puissance d'une station de base d'un système pour petite cellule, pour microcellule ou d'un système à antenne active. Le QPD0020 peut aussi servir à réaliser l'étage d'attaque de l'amplificateur de puissance d'une station de base pour macrocellule.

Caractéristiques

  • Plage de fréquence de fonctionnement : CC à 6 GHz
  • Tension de drain de fonctionnement : +48 V
  • Puissance de sortie maximale (PSAT) : 34,7 W
  • Rendement maximal du drain : 77,8 % 
  • Gain au point de compression P3dB optimisé pour un rendement maximal : 18,8 dB
  • Boîtier plastique pour montage en surface

Applications

  • W-CDMA/LTE
  • Circuit d'attaque de station de base de macrocellule
  • Station de base Microcell
  • Étage final de petites cellules
  • Antenne active
  • Communications radio terrestres mobiles et militaires
  • Applications à usage général

Schéma fonctionnel

Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD0020
Publié le: 2021-11-29 | Mis à jour le: 2022-03-11