ROHM Semiconductor Le CI de détection de tension (réinitialisation)BD5250G-1TR

Le CI détecteur de tension (réinitialisation) BD5250G-1TR de ROHM Semiconductor est un CI détecteur CMOS à réglage de délai libre avec un type de sortie à drain ouvert et canal N.  Ce CI détecte une plage de tension de 0,9 V à 5 V par incréments de 0,1 V et fonctionne à une température maximale de 85°C. Le CI BD5250G-1TR dispose d’un Nano Energy™, d’une précision de délai de ±30 %, avec une fonction de consommation de courant ultra-faible standard de 270 nA et d’un courant de sortie 70 mA.m; Ce CI de détection est disponible en boîtier SSOP5 et en dimensions 2,90 mm x 2,80 mm x 1,25 mm. Le CI BD5250G-1TR est utilisé dans les dispositifs grand public qui nécessitent une détection de tension.

Caractéristiques

  • Nano Energy™
  • Type de sortie à drain ouvert à canal N
  • Réglage du délai contrôlé par un condensateur externe
  • Disponible en dimensions 2,90 mm x 2,80 mm x 1,25 mm et en boîtier SSOP5
  • Utilisé dans les appareils grand public qui nécessitent une détection de la tension

Caractéristiques techniques

  • Précision de détection de tension :
    • ±1 % ±5 mV (VDET = 0,9 V à 1,6 V)
    • ±0,9 % (VDET = 1,7 V à 5 V)
  • Courant de sortie 70 mA
  • Plage de température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C
  • Détection de tension de 0,9 V à 5 V (standard) avec un pas de 0,1V
  • Consommation de courant ultra-faible de 270 nA (standard)
  • Précision de délai de ±30 % (-40 °C à 85 °C, condensateur à broche CT ≥ 1 nF)

Schéma de circuit d’application

Schéma du circuit d'application - ROHM Semiconductor Le CI de détection de tension (réinitialisation)BD5250G-1TR

Schéma fonctionnel

Schéma de principe - ROHM Semiconductor Le CI de détection de tension (réinitialisation)BD5250G-1TR
Publié le: 2024-01-29 | Mis à jour le: 2024-08-26