ROHM Semiconductor MOSFET de puissance R60xxKNZ4

Les MOSFET de puissance R60xxKNZ4 de ROHM Semiconductor sont des MOSFET à canal N et 600 V conçus pour les applications de commutation. Le R60xxKNZ4 fournit une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide. Les MOSFET de puissance ROHM R60xxKNZ4 sont disponibles en boîtier TO-247 qui permet une mise en parallèle facile.

Caractéristiques

  • Faible résistance à l'état passant
  • Tension drain-source de 600 V
  • Vitesse de commutation élevée
  • L'utilisation en parallèle est facile
  • Placage de fil sans plomb ; conforme à la directive RoHS

Applications

  • Tension
  • Commutateurs de charge

Circuit intérieur

Circuit de localisation - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance R60xxKNZ4
Publié le: 2022-07-06 | Mis à jour le: 2022-07-11