ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RFUH25TB3SNZ
La diode à récupération ultra-rapide RFUH25TB3SNZ de ROHM Semiconductor dispose d'une perte de commutation ultra-faible et d'une capacité de surcharge de courant élevée. Cette diode de récupération comprend une construction planaire épitaxiale en silicium. La diode de récupération RFUH25TB3SNZ offre une tension inverse de crête répétitive de 350 V, un courant inverse de 10 μA et un courant de surtension directe non répétitif de 100 A. Cette diode de récupération fonctionne à une tension directe maximale de 1,45 V et est stockée sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. La diode à récupération ultra-rapide RFUH25TB3SNZ est idéale pour une utilisation dans le redressement général.
Caractéristiques
- Perte de commutation ultra-faible
- Capacité de surcharge de courant élevée
- Construction planaire épitaxiale en silicium
- Tension inverse de crête répétitive 350 V
- Courant inverse de 10 μA
- Courant de surtension directe non répétitive de 100 A
- Tension directe maximale de 1,45 V
- Température de stockage de -55 °C à + 150 °C
Applications
- Redressement général
Plan mécanique
Publié le: 2021-02-26
| Mis à jour le: 2022-03-11