ROHM Semiconductor IGBT à tranchée et arrêt de champ 75 A 650 V RGSX5TS65
Les IGBT à tranchée et arrêt de champ 75 A 650 V RGSX5TS65 de ROHM Semiconductor disposent d'une faible tension de saturation collecteur-émetteur. Le RGSX5TS65 dispose d'un temps de tenue aux courts-circuits de 8 μs. Il est qualifié AEC-Q101 et dispose d'un placage de fil sans Pb.
Caractéristiques
- Faible tension de saturation collecteur-émetteur
- Durée de tenue aux courts-circuits 8 μs
- Qualifié selon AEC-Q101
- Placage de fil sans plomb ; conforme à la directive RoHS
Applications
- Chauffage pour l'automobile
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Description |
|---|---|---|
| RGSX5TS65HRC11 |  |
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, Automotive Field Stop Trench IGBT |
| RGSX5TS65DHRC11 | |
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT |
| RGSX5TS65EGC11 | |
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT |
| RGSX5TS65EHRC11 | |
IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT |
Publié le: 2021-07-19
| Mis à jour le: 2022-03-11