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ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RQ3xFRATCB

Les MOSFET de puissance RQ3xFRATCB de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101.  Ces MOSFET disposent d'une plage de tension drain-source de -40 V à 100 V, 8 bornes, d'une dissipation d'énergie jusqu'à 69 W et d'un courant de drain continu de ±12 A à ±27 A. Les MOSFET de puissance RQ3xFRATCB sont disponibles en canal N et canal P. Ces MOSFET de puissance sont disponibles dans un petit boîtier HSMT8AG de 3,3 mm x 3,3 mm. Le MOSFET de puissance RQ3xFRATCB est idéal pour les systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), l'infotainment, l'éclairage et la carrosserie.

Caractéristiques

  • qualification AEC-Q101
  • Petit boîtier de grande puissance
  • Fiabilité de montage élevée atteignable grâce à la borne originale et au traitement de placage.
  • Disponible en canal N et en canal P
  • Dimensions 3,3 mm x 3,3 mm (t=0,8)
  • Boîtier HSMT8AG

Applications

  • Systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
  • Info-divertissement
  • Éclairage
  • Carrosserie
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Numéro de pièce Fiche technique Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Qg - Charge de grille Vgs th - Tension de seuil grille-source Pd - Dissipation d’énergie Temps de descente Transconductance directe - min. Temps de montée Délai de désactivation type Délai d'activation standard
RQ3G270BJFRATCB RQ3G270BJFRATCB Fiche technique P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms 32 nC 2.5 V 69 W 37 ns 11 S 15 ns 126 ns 10 ns
RQ3G120BJFRATCB RQ3G120BJFRATCB Fiche technique P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms 15.5 nC 2.5 V 40 W 9.8 ns 6.5 S 4.7 ns 36 ns 6.7 ns
RQ3L120BJFRATCB RQ3L120BJFRATCB Fiche technique P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms 15.7 nC 2.5 V 40 W 18 ns 7.8 S 13 ns 52 ns 8.7 ns
Publié le: 2024-05-22 | Mis à jour le: 2024-06-11