ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RQ6
Les MOSFET de puissance à canal P RQ6 de ROHM Semiconductor disposent d'une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé à haute puissance (TSMT6). ROHM offre une large plage de tensions allant des produits à signal faible aux produits à haute tension de 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Petit boîtier moulé à haute puissance (TSMT6)
- Placage sans plomb ; conforme RoHS
- Sans halogène
- 100% testés Rg et UIS
Applications
- Quantité de commutation (pièces) 3 000
- Commutation de charge
Gamme
Applications sur le marché
Résistance à l'état passant améliorée
Produits associés
ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs
Deliver ultra-fast switching speeds and low on-resistance in a broad range of package types.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RQ7
Disposent d’une faible résistance à l’état passant et sont logés dans un petit boîtier TSMT8 à montage en surface.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RS3
Disposent d'une faible résistance à l'état passant et d'une vitesse de commutation rapide.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de classe automobile à canal N
Faible résistance à l’état passant, dissipe la puissance jusqu’à 142 W et est fourni dans de petits boîtiers à haute puissance.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance UT6J à canal P
Disposent d’une faible résistance à l’état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé haute puissance .
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P SH8J
Disposent d'une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier à montage en surface (SOP8).
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RF4
Disposent d'une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé à haute puissance (HUML2020L8).
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P QH8J
Disposent d’une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé à haute puissance (TSMT8).