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ROHM Semiconductor MOSFET automobiles à petit signal RRR0x0P03HZG

Les MOSFET automobiles à petit signal RRR0x0P03HZG de ROHM Semiconductor sont des MOSFET à faible résistance à l'état passant avec diodes de protection G-S intégrées Ces MOSFET offrent une tension drain-source (VDSS) de -30 V et une dissipation d'énergie (PD) de 1 W. Le MOSFET RRR030P03HZG fournit un courant de drain continu (ID) de ±3 A et le MOSFET RRR040P03HZG fournit ±4 A ID. Ces MOSFET sont conformes AEC-Q101 et sont fournis avec des placages sans plomb. Les MOSFET RRR0x0P03HZG de ROHM Semiconductor sont disponibles en petit boîtier TSMT3 à montage en surface et sont adaptés aux convertisseurs CC-CC.

Caractéristiques

  • Faible résistance à l'état passant
  • Diode de protection G-S intégrée
  • Placage sans plomb
  • Homologués AEC-Q101
  • Conforme à la directive RoHS
  • Petit boîtier à montage en surface (TSMT3)

Caractéristiques techniques

  • RRR030P03HZG
    • Résistance drain-source statique maximale de 75 mΩ (RDS (on))
    • Courant de drain continu (ID) de ±3 A
  • RRR040P03HZG
    • Résistance drain-source statique maximale à l’état passant de 45 mΩ (RDS (on))
    • Courant de drain continu (ID) de ±4 A
  • Commun
    • Tension drain-source (VDSS) de -30 V
    • Dissipation de puissance (PD) de 1 W
    • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +150 °C

Schéma interne du circuit

ROHM Semiconductor MOSFET automobiles à petit signal RRR0x0P03HZG

Graphiques de performance

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Numéro de pièce Fiche technique Description Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Qg - Charge de grille Temps de montée Temps de descente
RRR040P03HZGTL RRR040P03HZGTL Fiche technique MOSFET MOSFET Pch -30V -4A, DriveVoltage:-4 SOT346T 4 A 45 mOhms 10.5 nC 30 ns 45 ns
RRR030P03HZGTL RRR030P03HZGTL Fiche technique MOSFET MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT346T 3 A 75 mOhms 5.2 nC 18 ns 35 ns
Publié le: 2020-11-18 | Mis à jour le: 2024-10-29