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ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RS1G201ATTB1

Le MOSFET de puissance RS1G201ATTB1 de ROHM Semiconductor dispose d'un placage sans plomb, d'une faible résistance à l'état passant et d'un petit boîtier à montage en surface HSOP8. Ce MOSFET fonctionne sur une plage de température de -55 °C à +150 °C, une tension drain-source de -40 V, un courant de drain pulsé de ±80 A et une tension grille-source de ±20 V. Le MOSFET de puissance RS1G201ATTB1 est idéal pour une utilisation dans la commutation de charge.

Caractéristiques

  • Faible résistance à l'état passant
  • Petit boîtier à montage en surface HSOP8
  • Placage sans plomb
  • Conformes RoHS

Caractéristiques techniques

  • Plage de température de fonctionnement: de -55°C à + 150°C
  • Tension drain-source de -40 V
  • Courant de drain pulsé ±80 A
  • Tension grille-source ±20 V
  • Dissipation de puissance 40 W
  • Température de jonction de +150 °C

Circuit intérieur

Circuit de localisation - ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RS1G201ATTB1
Publié le: 2021-02-23 | Mis à jour le: 2022-03-11