ROHM Semiconductor MOSFET à petit signal RTF016N05FRA
Le MOSFET à petit signal RTF016N05FRA de ROHM Semiconductor dispose d'une faible résistance à l'état passant, d'une diode de protection G-S intégrée et d'un placage de fil sans plomb. Ce MOSFET est disponible en petit boîtier à montage en surface TUMT3 et est homologué AEC-Q101. Le MOSFET RTF016N05FRA offre une tension drain-source de 45 V, un courant de drain continu de ±1,6 A et un courant de drain pulsé de ±6,4 A. Ce MOSFET fonctionne sur une plage de température de jonction et une plage de température de stockage de -55 °C à +150 °C. Le MOSFET de signal RTF016N05FRA est idéal pour une utilisation en commutation.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Diode de protection G-S intégrée
- Petit boîtier à montage en surface TUMT3
- Placage des fils sans plomb
- Conformes RoHS
- Homologué AEC-Q101
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source 45 V
- Courant de drain continu ±1,6 A
- Courant de drain pulsé ±6,4 A
- Plage de température de fonctionnement de jonction de -55 ºC à +150 ºC
- Dissipation d'énergie 0,8 W
- Résistance à l'état passant maximale de 190 mΩ
Schéma de principe
Publié le: 2021-02-16
| Mis à jour le: 2022-03-11