ROHM Semiconductor MOSFET RV8L002SN et RV8C010UN à signal faible
Les MOSFET à petit signal RV8L002SN et RV8C010UN de ROHM Semiconductor sont proposés dans un boîtier ultra-compact sans plomb avec pastille de drain exposée pour une excellente conduction thermique. Les MOSFET RV8L002SN et RV8C010UN offrent également une commutation très rapide, un pilote ultra-basse tension de2,5 V et une protection ESD jusqu’à 2 kV.
Les MOSFET RV8L002SN et RV8C010UN de ROHM sont disponibles en boîtier DFN1010-3W et sont homologués AEC-Q101.
Caractéristiques
- Pastille de drain ultra-compacte et exposée sans plomb pour une excellente conduction thermique, boîtier plastique CMS (1,0 mm x 1,0 mm x 0,4 mm)
- Flancs mouillables latéraux pour une inspection optique automatisée (AOI) de la brasure
- Les pastilles latérales à braser 100 % étamées garantissent 125 μm minimum
- Homologué AEC-Q101
- Protection ESD jusqu’à 2 kV (HBM)
- Commutation très rapide
- Pilote ultra-basse tension 2,5 V
Applications
- Circuits de commutation
- Commutateurs de charge côté bas
- Pilotes de relais
Circuit d'application standard
Ressources supplémentaires
Solution associée
ROHM Semiconductor Automotive Solutions
Deliver optimized solutions for the automotive industry along with evolving technologies.
Publié le: 2020-11-09
| Mis à jour le: 2024-10-23