ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4013DR
Le MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) à canal N SCT4013DR de ROHM Semiconductor est un dispositif hautes performances conçu pour les applications d'électronique de puissance exigeantes. Doté d'une tension nominale drain-source de 750 V et d'un courant de drain continu de 105 A (à +25 °C), ce dispositif délivre une efficacité et des performances thermiques exceptionnelles. La faible résistance à l'état passant de 13 mΩ (standard) et les fonctionnalités de commutation rapide rendent le SCT4013DR de ROHM idéal pour les applications haute fréquence tels que les alimentations électriques, les convertisseurs et les entraînements à moteur. Le SCT4013DR bénéficie également des avantages inhérents à la technologie SiC, notamment une tension de rupture élevée, de faibles pertes de commutation et une conductivité thermique supérieure, qui contribuent à réduire la taille du système et à améliorer la fiabilité. Hébergé dans un boîtier TO-247-4L, le MOSFET prend en charge une gestion thermique robuste et une intégration facile dans les conceptions existantes.
Caractéristiques
- Faible résistance en état de fonctionnement
- Vitesse de commutation élevée
- Récupération inverse rapide
- Facile à mettre en parallèle
- Facile à piloter
- Boîtier TO-247-4L
- Placage des fils sans plomb
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Convertisseurs solaires
- Convertisseurs CC/CC
- Alimentations électriques en mode commutation
- Chauffage par induction
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source maximale de 750 V
- Courant drain/source continu maximal
- 105 A à +25 °C
- 74 A à +100 °C
- Courant de drain de tension degrille nulle maximal : 80 μA
- Courant de drain pulsé maximal : 233 A
- Diode de corps
- Courant direct maximum
- Courant de drain pulsé de 105 A
- Surtension de 233 A
- Tension directe standard de 3,3 V
- Temps de récupération inverse standard : 16 ns
- Charge de récupération inverse : 290 nC
- Courant de récupération inverse de crête standard : 36 A
- Courant direct maximum
- Plage de tension grille-source maximale : de -4 V CC à 21 V CC
- Plage de tension de choc grille-source maximale : de -4 V à 23 V
- Tension de commande grille-source maximale recommandée
- Plage d'allumage maximum de 15 V à 18 V
- Arrêt à 0 V
- Courant de fuite grille-source ±100 nA
- Plage de tension de seuil de grille de 2,8 V à 4,8 V
- Résistance drain-source
- statique maximale à l'état passant : 16,9 mΩ à +25 °C
- Valeur standard : 13 mΩ
- Résistance d'entrée de grille standard de 1 Ω
- Résistance thermique jonction-boîtier : 0,48 K/W
- Transconductance : 32 S
- Capacité standard
- Entrée 4 580 pF
- Sortie de 203 pF
- Transfert inverse de 10 pF
- Sortie effective de 263 pF, liée à l'énergie
- Grille standard
- Total de 170 nC
- Charge de source de 39 nC
- Charge de drain de 42 nC
- Temps standard
- Temps d'allumage de 17 ns
- Montée de 32 ns
- Temps d'arrêt de 82 ns
- Descente de 17 ns
- Pertes de commutation standard
- Allumage 500 μJ
- Arrêt 310 μJ
- Temps de tenue standard aux courts-circuits de 11,5 µs à 12,0 µs
- Température de jonction virtuelle maximale de +175 °C
Circuit intérieur
MOSFET associés
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération
Fournit de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC AEC-Q101
Peuvent être utilisés pour augmenter la fréquence de commutation, réduisant la taille des composants externes.
Publié le: 2025-06-13
| Mis à jour le: 2025-06-19