ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à double canal N et P SH8M

Le MOSFET de puissance Nch+Pch double SH8M de ROHM Semiconductor comprend deux MOSFET 60 V dans un petit boîtier SOP8 à montage en surface avec huit bornes. Il offre une faible résistance à l’état passant, un ID de courant de drain de ±6,5 A/±7 A, un maximum de 32 mΩ à 33 mΩ R_{DS (on)} et une dissipation d'énergie de 2 W. Le MOSFET de puissance Nch+Pch double SH8M de ROHM Semiconductor utilise un placage sans plomb et est sans halogène et conforme à la directive RoHS. Le SH8M est idéal pour les applications de commutation.

Caractéristiques

Polarité double canal N et P
8 bornes
Faible résistance à l'état passant
Petit boîtier à montage en surface (SOP8)

Idéal pour les applications de commutation
Placage sans plomb
Conforme à la directive RoHS
Sans halogène

Caractéristiques techniques

Tension drain-source de -60 V à 60 V (V_DSS)
32 mΩ à 33 mΩ R_{DS (on)} maximum

ID de courant de drain ±6,5 A/±7 A
Dissipation de puissance 2 W

Tableau comparatif

Taille et nombre de composants plus petits

Exemples de solutions

• QH8MC5 (MOSFET double ±60 V Nch+Pch) + BD63001AMUV (CI de pré-pilote moteur brushless triphasé)
• SH8KB6 (+40 V Nch+Nch double MOSFET) + BM62300MUV (CI de pré-pilote brushless triphasé)
• SH8KB6 (+40 V Nch+Nch double MOSFET) + BD63002AMUV (CI de pré-pilote brushless triphasé)