STMicroelectronics IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 1 200 V H

Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 1 200 V H de STMicroelectronics sont des IGBT à haute vitesse développés à l'aide d'une structure exclusive avancée de grille en tranchée et d'arrêt de champ. Ces dispositifs représentent le meilleur compromis entre les pertes de conduction et de commutation afin d'optimiser le rendement de tous les convertisseurs de fréquence. Grâce à la technologie de pointe d'arrêt de champ et de grille en tranchée haut débit de ST, ces IGBT ont une durée de tenue au court-circuit de 5 µs minimum à T_J=150 °C, une terminaison de coupure de courant au collecteur minimale et une faible tension de saturation (V_ce(sat)) jusqu'à 2,1 V (standard), ce qui réduit les pertes d'énergie au moment de la mise en marche et de la commutation. De plus, un coefficient de température VCE_(sat) légèrement positif et une distribution très étroite des paramètres entraînent un fonctionnement parallèle plus sûr. Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 1 200 V H sont idéaux pour les alimentations sans coupure, les machines de soudage, les onduleurs photovoltaïques, la correction de facteur de puissance et les convertisseurs haute fréquence.