STMicroelectronics Transistor LDMOS de puissance RF RF3L05150CB4
Le transistor LDMOS de puissance RF RF3L05150CB4 de STMicroelectronics est un FET LDMOS de puissance RF de 150 W, 28/32 V conçu pour les applications ISM et de communication à large bande. Le transistor LDMOS RF3L05150CB4 STM est conçu pour des applications avec des fréquences allant de HF à 1 GHz. Le RF3L05150CB4 peut être utilisé en classe AB, B ou C pour tous les formats de modulation standard.
Caractéristiques
- Opérations à haut rendement et gain linéaire
- Protection DES intégrée
- En conformité avec la directive européenne 2002/95/CE
- Vaste plage de tension grille-source positive et négative pour un fonctionnement de classe C amélioré
Applications
- HF de 2 MHz à 30 MHz ou communication à onde courte
- Communication au sol de 30 MHz à 88 MHz
- Avionique de 118 MHz à 140 MHz
- Communication au sol commerciale de 136 MHz à 174 MHz
- Coupleur de 30 MHz à 512 MHz, communication terre/air
- ISM - instrumentation HF à 1 000 MHz
Connexion des broches
Agencement du circuit de test
Complétez votre conception
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2021-02-26
| Mis à jour le: 2022-03-11