STMicroelectronics MOSFET de puissance SH63N65DM6AG
Le MOSFET de puissance SH63N65DM6AG de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance à topologie en demi-pont MDmesh DM6 à canal N de qualité automobile offrant une tension de blocage de 650 V. Ce MOSFET de puissance est qualifié AQG 324 et est fourni dans un boîtier à faible inductance ACEPACK SMIT. Le MOSFET de puissance SH63N65DM6AG dispose de très faibles énergies de commutation, d’une faible résistance thermique et d’un indice d’isolation 3,4 kVrms/min. Ce MOSFET de puissance possède un substrat en cuivre directement lié (DBC) qui aide le boîtier à offrir une faible résistance thermique associée à une plaquette thermique isolée sur le dessus. Le MOSFET SH63N65DM6AG est proposé dans un boîtier offrant une grande flexibilité de conception permettant plusieurs configurations, notamment des segments de phase, un boost et un commutateur unique via différentes combinaisons de commutateurs d'alimentation internes. Ce MOSFET de puissance est idéal pour les applications de commutation.
Caractéristiques
- Qualification AQG 324
- Module d'alimentation à demi-pont
- Tension de blocage de 650 V
- Diode de corps à récupération rapide
- Très faibles énergies de commutation
- Faible inductance du boîtier
- Puce sur substrat de cuivre à liaison directe (DBC)
- Faible résistance thermique
- Isolation nominale de 3,4 kVrms/min
Caractéristiques techniques
- Tension grille-sourceGS ±25 V
- Courant de drain de 170 A (pulsé)
- Dissipation de puissance totale 424 W à tC= 25 °C
- Résistance thermique de 0,29 °C/W (jonction à boîtier)
- Courant d'avalanche de 6 A
- Énergie d’avalanche à impulsion unique de 778 mJ
- Pente de tension de récupération de diode de crête 100 V/ns
- Pente de courant de récupération de diode de crête 1000 A/µs
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à 150 °C
Schéma du circuit
Profil du boîtier ACEPACK SMIT
Finalisez votre conception
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2023-08-16
| Mis à jour le: 2023-08-29