STMicroelectronics Transistors DMOS RF STAC

STMicroelectronics offre un large portefeuille de transistors de puissance DMOS RF pour des applications allant de 1 MHz à 250 MHz, telles que les applications de diffusion FM, industrielles, scientifiques et médicales. ST offre un large portefeuille de transistors DMOS RF fonctionnant à partir d'une tension d'alimentation comprise entre 28 et 150 V. Ils offrent une puissance de crête élevée (jusqu'à 1,2 kW) et une excellente robustesse (infinie : 1 VSWR). Le boîtier STAC® à cavité d'air offre un comportement thermique amélioré, de meilleures performances RF et une fiabilité exceptionnelle.

Caractéristiques

  • 50V
    • Up to 350W output power
    • Up to more than 200V breakdown voltage
    • 1 million power cycles reliability
    • Low thermal resistance
    • ST air cavity (STAC) package option for improved junction-to-case thermal resistance (-25%) and improved RF performance 
  • 100/150V
    • 150W up to 1.2kW output power
    • 100/150V supply voltage
    • >20dB gain
    • >60% efficiency
    • Best-in-class reliability
    • Excellent thermal stability
    • ST air cavity (STAC) package option for improved junction-to-case thermal resistance (-25%) and improved RF performance compared to ceramic packages
  • 250/300V
    • Up to 600W output power
    • 250V supply voltage
    • >20dB gain
    • >70% efficiency
    • Best in-class reliability
    • ST air cavity (STAC) package option for improved junction-to-case thermal resistance (-25%) and improved RF performance compared to ceramic packages

Applications

  • RF plasma generators
  • Laser drivers
  • RF heating
  • Magnetic resonance imaging (MRI)
  • HF transceivers
  • FM broadcast

Vidéos

Publié le: 2013-05-09 | Mis à jour le: 2025-09-04