STMicroelectronics Transistors DMOS RF STAC
STMicroelectronics offre un large portefeuille de transistors de puissance DMOS RF pour des applications allant de 1 MHz à 250 MHz, telles que les applications de diffusion FM, industrielles, scientifiques et médicales. ST offre un large portefeuille de transistors DMOS RF fonctionnant à partir d'une tension d'alimentation comprise entre 28 et 150 V. Ils offrent une puissance de crête élevée (jusqu'à 1,2 kW) et une excellente robustesse (infinie : 1 VSWR). Le boîtier STAC® à cavité d'air offre un comportement thermique amélioré, de meilleures performances RF et une fiabilité exceptionnelle.Caractéristiques
- 50V
- Up to 350W output power
- Up to more than 200V breakdown voltage
- 1 million power cycles reliability
- Low thermal resistance
- ST air cavity (STAC) package option for improved junction-to-case thermal resistance (-25%) and improved RF performance
- 100/150V
- 150W up to 1.2kW output power
- 100/150V supply voltage
- >20dB gain
- >60% efficiency
- Best-in-class reliability
- Excellent thermal stability
- ST air cavity (STAC) package option for improved junction-to-case thermal resistance (-25%) and improved RF performance compared to ceramic packages
- 250/300V
- Up to 600W output power
- 250V supply voltage
- >20dB gain
- >70% efficiency
- Best in-class reliability
- ST air cavity (STAC) package option for improved junction-to-case thermal resistance (-25%) and improved RF performance compared to ceramic packages
Applications
- RF plasma generators
- Laser drivers
- RF heating
- Magnetic resonance imaging (MRI)
- HF transceivers
- FM broadcast
Vidéos
Publié le: 2013-05-09
| Mis à jour le: 2025-09-04
