STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 10 A STD80N450K6
Le MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 10 A STD80N450K6 de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance haute tension à canal N doté d’une protection Zener et testé 100 % en mode avalanche. Ce MOSFET présente également une charge de grille très basse, une tension grille-source de ±30 V, une dissipation totale d’énergie de 83 W, une zone x RDS(ON) mondial et un facteur de mérite (FOM). Le MOSFET fonctionne dans une plage de température de jonction de -55 °C à 150 °C et est disponible dans un boîtier DPAK (TO-252) de type A2. Les applications typiques comprennent les convertisseurs Flyback, l'éclairage LED et les adaptateurs pour tablettes et notebooks.
Caractéristiques
- Charge de grille ultra-faible
- RDS(ON) mondial x zone
- Facteur de mérite mondial (FOM)
- Tension grille-source ±30 V
- Dissipation d'énergie totale de 83 W
Applications
- Convertisseurs Flyback
- Éclairage à LED
- Adaptateurs pour tablettes et notebooks
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STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N
800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.
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A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2023-01-20
| Mis à jour le: 2024-06-25