STMicroelectronics IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée STGWT28IH125DF
Les STGWT28IH125DF de STMicroelectronics sont des IGBT développés à partir d'une structure à arrêt de champ et grille en tranchée de pointe et exclusive. Les performances sont optimisées en pertes de conduction et de commutation. Une diode de roue libre avec une faible tension de chute directe est dans le boîtier. Il en résulte un produit spécialement conçu pour optimiser le rendement de toute application résonnante et de commutation souple.
Caractéristiques
- Designed for soft commutation only
- +175°C maximum junction temperature
- Minimized tail current
- 2.0V (typ.) collector-emitter voltage @ IC= 25A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low VF soft recovery co-packaged diode
- Low thermal resistance
- Lead-free package
Applications
- Induction heating
- Microwave ovens
- Resonant converters
Schematic Diagram
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STMicroelectronics IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 650 V HB
Représente le meilleur compromis entre les pertes de conduction et de commutation afin d'optimiser le rendement de tous les convertisseurs de fréquence.
Publié le: 2015-02-03
| Mis à jour le: 2022-03-11