STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh STO67N60x
Les MOSFET de puissance MDmesh STO67N60x de STMicroelectronics sont des MOSFET de puissance à canal N testés à 100 % en avalanche et protégés Zener adaptés aux applications de commutation.Ces MOSFET de puissance disposent d'excellentes performances de commutation, d'une faible résistance d'entrée de grille et d'un RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente. Le MOSFET de puissance STO67N60DM6 est une diode de corps à récupération rapide et combine une très faible charge de récupération (Qrr) et un temps de récupération (trr) avec le comportement de commutation le plus efficace. Le MOSFET de puissance STO67N60M6 est idéal pour une utilisation dans les convertisseurs LLC et les convertisseurs PFC élévateur.
Caractéristiques
- Pertes de commutation réduites (STO67N60M6)
- Diode de corps à récupération rapide (STO67N60DM6)
- Faible résistance d'entrée de grille (STO67N60M6)
- Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance (STO67N60DM6)
- Testé à 100 % en mode avalanche
- Protection par diode Zener
- Robustesse dv/dt extrêmement élevée (STO67N60DM6)
- Boîtier à haute ligne de fuite (STO67N60M6)
- Excellentes performances de commutation
Applications
- Applications de commutation
- Convertisseurs LLC (STO67N60M6)
- Convertisseurs PFC Boost (STO67N60M6)
Présentation
Finalisez votre conception
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2020-08-11
| Mis à jour le: 2025-01-14