STMicroelectronics MOSFET de puissance 650 V SCTWA90N65G2Vx

Les MOSFET de puissance 650 V SCTWA90N65G2Vx STMicroelectronics sont des MOSFET au carbure de silicium (SiC) avec des valeurs nominales de 18 mΩ et 119 A. Ces MOSFET de puissance sont fournis en boîtiers HiP247 et HiP247-4. Les MOSFET de puissance 650 V SCTWA90N65G2Vx disposent d'une charge de grille et de capacités d'entrée extrêmement faibles, de performances de commutation à haute vitesse et d'une broche de détection de source pour un rendement accru. Ces MOSFET sont développés à partir de la technologie avancée et innovante de MOSFET SiC de 2^ème génération de ST. Les Applications comprennent l'alimentation pour les systèmes d'énergie renouvelable, les convertisseurs CC-CC haute fréquence, les stations de charge, l'alimentation en mode commutation, les convertisseurs CC-CC et la commande de moteur industriel.