STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

L'IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2 de STMicroelectronics a été créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt. Les performances sont optimisées tant au niveau des pertes de conduction que des pertes de commutation pour une commutation douce. Une diode de roue libre avec une faible chute de tension directe est incluse. Le STGWA30IH160DF2 de STMicro est spécialement conçu pour maximiser l'efficacité de toutes les applications résonnantes et à commutation douce. Le dispositif est disponible dans un boîtier TO-247 à broches longues.

Caractéristiques

  • Conçu pour la commutation douce
  • Température de jonction maximale TJ = 175 °C
  • VCE(sat) = 1,77 V (std) à IC = 30 A
  • Courant résiduel minimisé
  • Distribution étroite des paramètres
  • Résistance thermique basse
  • Diode à chute de tension très faible et à récupération douce, co-emballée
  • Coefficient de température positif VCE(sat)
  • Boîtier TO-247 à broches longues

Applications

  • Chauffage par induction
  • Fours à micro-ondes
  • Convertisseurs résonnants

Application standard

Schéma du circuit d'application - STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2
Publié le: 2025-05-15 | Mis à jour le: 2025-05-22