Vishay / Siliconix MOSFET 100 V à canal N SISH892BDN
Le MOSFET 100 V à canal N SISH892BDN Vishay/Siliconix est un MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV disposant de tests 100 % Rg et UIS. Le MOSFET SISH892BDN offre 100 V VDS, 20 A ID et 8 nC Qg. Le MOSFET SISH892BDN Vishay/Siliconix est disponible en boîtier PowerPAK® 1212-8SH et dispose d'une plage de température de jonction en fonctionnement et de stockage de -55°C à +150°C.
Le MOSFET 100 V à canal N SISH892BDN est idéal pour les applications CC/CC à haute densité de puissance, de redressement synchrone et d'éclairage LED.
Caractéristiques
- TrenchFET® Gen IV puissance MOSFET
- 100 % testé à Rg et UIS
Applications
- Haute densité de puissance CC/CC
- Rectification synchrone
- Éclairage par LED
Produits associés
Vishay / Siliconix MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET
Procure une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V.
Style de boîtier
Publié le: 2021-04-12
| Mis à jour le: 2022-03-11