Vishay MOSFET à canal N (D-S) SiR680ADP
Le MOSFET à canal N (D-S)SiR680ADP Vishay est un MOSFET de puissance TrenchFET ® Gen IV disposant d'un faible facteur de mérite (FOM) RDS-Qg. Ce MOSFET est réglé pour le plus faible RDS à Qoss FOM ET testé 100% Rg et UIS. Le MOSFET SiR680ADP fonctionne sur une plage de température de -55°C à 150°C. Ce MOSFET fonctionne à une tension drain-source de 80 V, une tension grille-source de ± 20 V et un courant drain d'impulsion de 125 A. Le MOSFET SiR680ADP est fourni avec le boîtier PowerPAK SO-8. Ce MOSFET est idéal pour une utilisation dans le commutateur côté primaire de redressement synchrone, les convertisseurs CC-CC, les OR-ing, les alimentations et le contrôle d'entraînement moteur.
Caractéristiques
- TrenchFET® Gen IV puissance MOSFET
- Facteur de mérite (FOM) RDS - Qg très faible
- Configuration unique
- Réglé pour le RDS le plus faible - Qoss FOM
- 100% testé à Rg et UIS
- Boîtier PowerPAK SO-8
Applications
- Rectification synchrone
- Commutateur côté primaire
- Convertisseurs CC-CC
- OR-ing
- Sources d’alimentation
- Commande de moteurs
- Batterie et commutateur de charge
Caractéristiques techniques
- Plage de température de fonctionnement: de -55°C à + 150°C
- Tension drain-source 80 V
- Tension grille-source ±20 V
- Courant de drain d'impulsion 125 A
Vidéos
Image infographique
Produit associé
Vishay / Siliconix MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET
Procure une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V.
Publié le: 2020-06-16
| Mis à jour le: 2024-12-20