Nexperia Diode à faible fuite BAS116LS-Q
La diode à faible fuite BAS116LS-Q de Nexperia est logée dans un boîtier plastique DFN1006BD-2 (SOD882BD) à montage en surface (CMS) ultra-compact. L’emballage a des flancs mouillables latéraux. Les BAS116LS-Q disposent d’un temps de commutation de trr max. = 3 ° s et d’un faible courant de fuite de IR max. = 5 nA.
Caractéristiques
- Temps de commutation max. trr = 3 ° s
- Faible courant de fuite max. IR = 5nA
- tension inverse de crête répétitive VRRM ≤ 85 V
- Faible capacité typique CD = 2 pF
- boîtier plastique CMS Ultra-compact et sans fil
- Adapté aux processus d'inspection optique automatique (AOI) des soudures
- Homologuées selon la norme AEC-Q101 et recommandées pour utilisation dans les véhicules automobiles
Applications
- Applications nécessitant des courants de fuite faibles
- Commutation à usage général
Diodes associées
Nexperia Diodes de commutation doubles à faible fuite BAS116DY/-Q
Diodes isolées électriquement, à commutation moyenne, Epitaxial dans un boîtier SOT363 ultra-compact.
Nexperia Triples diodes de commutation à faible fuiteBAS116VY/-Q
Triples diodes Epitaxial, à commutation moyenne vitesse, isolées électriquement dans un petit boîtier SOT363.
Nexperia transistor bipolaire à signal faible en boîtier DFN
Répond à la demande croissante de fonctions électroniques des véhicules.
Publié le: 2022-03-15
| Mis à jour le: 2023-10-30