Nexperia Transistors bipolaires de puissance en boîtier DFN BJT

Les transistors bipolaires de puissance en boîtier DFN BJT de Nexperia apportent un format compact qui utilise environ 75 % moins d'espace sur la carte et permet une plus grande flexibilité de conception. Ces transistors bipolaires disposent d’une inductance et d’une capacité parasites réduites avec une résistance thermique améliorée et faible, permettant une fiabilité plus élevée. Les composants BJT sont idéaux pour les applications où l’espace est limité. Les applications incluent les dispositifs mobiles, les wearables, les capteurs automobile et les modules de caméra.