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Nexperia MOSFET à signal faible (SSMOS) pour portables

Les MOSFET à signal faible (SSMOS) de Nexperia pour portables offrent des boîtiers WLCSP et DFN sans fil pour les applications mobiles et portables. Les boîtiers SSMOS de Nexperia fournissent une solution DFN extrêmement réduite dans la taille de pas couramment utilisée aujourd’hui du 0,35 mm. Une solution de remplacement idéale où l’espace est primordial, ces boîtiers ultra-compacts offrent un rendement d’espace significatif tout en fournissant un effort minimal sur le réglage de l’assemblage. Disponibles en canal N et canal P, tous les composants sont équipés d’une protection ESD de > 2 kV et d’une capacité de haute puissance de > 1300mW.

Les options de boîtier pour MOSFET à petit signal de Nexperia comprennent le DFN0603 à profil ultra-mince, qui ne mesure que 0,63 mm x 0,33 mm x 0,25 mm.  Ce boîtier utilise 13 % moins d'espace que les MOSFET dans le prochain boîtier le plus petit, DFN0604. De plus, cette réduction de taille a été obtenue sans compromettre les performances du composant, car la RDS (on) de ces composants a été réduite de 74 %, améliorant ainsi l'efficacité et permettant ainsi aux concepteurs d'équipements portables d'atteindre une densité de puissance encore plus élevée.

Caractéristiques

  • PMPB09R1XN, PMPB10R3XN, PMPB14R8XN
    • Transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal N 30 V VDS
    • Boîtier plastique CMS sans plomb de moyenne puissance (SOT1220-2) DFN2020M-6 de 2 mm x 2 mm x 0,65 mm
  • PMPB19R0UPE, PMDXB290UNE
    • Transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal P 20 V
    • Boîtier PMPB19R0UPE plastique CMS de moyenne puissance sans fil DFN2020M-6 2 mm x 2 mm x 0,65 mm (SOT1220-2)
    • PMDXB290UNE 1,1mm x 1 mm x   0,37 mm boîtier à petit profil ultra mince sans plomb à amélioration thermique DFN1010B-6 (SOT1216)  
  • Les options de boîtier comprennent DFN0603 à profil ultra mince
  • Remplacement de boîtiers plus grands - Les améliorations des performances de la technologie de wafer et de la technologie de boîtier permettent de plus hautes performances électriques et thermiques dans un encombrement réduit
  • Capacité de haute puissance
  • Compatibilité de la taille du pas sur DFN0606 et DFN1006
  • Performances RDS (on) améliorées

Applications

  • Commutation de charge
  • Chargement sans fil
  • Commutateur de batterie
  • Pilote LED
  • Commutateur de charge pour dispositifs portables
  • Gestion de l'alimentation du disque dur et de l'informatique
  • Gestion de l'alimentation dans les dispositifs portables alimentés par batterie
  • Traducteur de niveau
  • Conversion CC-CC
  • Pilote de relais
  • Pilote de ligne haut débit

Ressources

Vidéos

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Comparaison du gain de place

Nexperia MOSFET à signal faible (SSMOS) pour portables
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Numéro de pièce Fiche technique Description
PMX100UNEZ PMX100UNEZ Fiche technique MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.
PMX300UNEZ PMX300UNEZ Fiche technique MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.
PMCA14UNYL PMCA14UNYL Fiche technique MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.
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PMPB33XPZ PMPB33XPZ Fiche technique MOSFET PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6
PMX400UPZ PMX400UPZ Fiche technique MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.
Publié le: 2021-02-24 | Mis à jour le: 2026-03-30