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Nexperia MOSFET à signal faible (SSMOS) pour portables

Les MOSFET à signal faible (SSMOS) de Nexperia pour portables offrent des boîtiers WLCSP et DFN sans fil pour les applications mobiles et portables. Les boîtiers SSMOS de Nexperia fournissent une solution DFN extrêmement réduite dans la taille de pas couramment utilisée aujourd’hui du 0,35 mm. Une solution de remplacement idéale où l’espace est primordial, ces boîtiers ultra-compacts offrent un rendement d’espace significatif tout en fournissant un effort minimal sur le réglage de l’assemblage. Disponibles en canal N et canal P, tous les composants sont équipés d’une protection ESD de > 2 kV et d’une capacité de haute puissance de > 1300mW.

Les options de boîtier pour MOSFET à petit signal de Nexperia comprennent le DFN0603 à profil ultra-mince, qui ne mesure que 0,63 mm x 0,33 mm x 0,25 mm.  Ce boîtier utilise 13 % moins d'espace que les MOSFET dans le prochain boîtier le plus petit, DFN0604. De plus, cette réduction de taille a été obtenue sans compromettre les performances du composant, car la RDS (on) de ces composants a été réduite de 74 %, améliorant ainsi l'efficacité et permettant ainsi aux concepteurs d'équipements portables d'atteindre une densité de puissance encore plus élevée.

Caractéristiques

  • PMPB09R1XN, PMPB10R3XN, PMPB14R8XN
    • Transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal N 30 V VDS
    • Boîtier plastique CMS sans plomb de moyenne puissance (SOT1220-2) DFN2020M-6 de 2 mm x 2 mm x 0,65 mm
  • PMPB19R0UPE, PMDXB290UNE
    • Transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement à canal P 20 V
    • Boîtier PMPB19R0UPE plastique CMS de moyenne puissance sans fil DFN2020M-6 2 mm x 2 mm x 0,65 mm (SOT1220-2)
    • PMDXB290UNE 1,1mm x 1 mm x   0,37 mm boîtier à petit profil ultra mince sans plomb à amélioration thermique DFN1010B-6 (SOT1216)  
  • Les options de boîtier comprennent DFN0603 à profil ultra mince
  • Remplacement de boîtiers plus grands - Les améliorations des performances de la technologie de wafer et de la technologie de boîtier permettent de plus hautes performances électriques et thermiques dans un encombrement réduit
  • Capacité de haute puissance
  • Compatibilité de la taille du pas sur DFN0606 et DFN1006
  • Performances RDS (on) améliorées

Applications

  • Commutation de charge
  • Chargement sans fil
  • Commutateur de batterie
  • Pilote LED
  • Commutateur de charge pour dispositifs portables
  • Gestion de l'alimentation du disque dur et de l'informatique
  • Gestion de l'alimentation dans les dispositifs portables alimentés par batterie
  • Traducteur de niveau
  • Conversion CC-CC
  • Pilote de relais
  • Pilote de ligne haut débit

Ressources

Vidéos

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Comparaison du gain de place

Nexperia MOSFET à signal faible (SSMOS) pour portables
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Numéro de pièce Fiche technique Description
PMCB60XNEZ PMCB60XNEZ Fiche technique MOSFET SOT8026 N-CH 30V 3.5A
PMCA14UNYL PMCA14UNYL Fiche technique MOSFET SOT8007 N-CH 12V 11A
PMCB60XNZ PMCB60XNZ Fiche technique MOSFET SOT8026 N-CH 30V 4A
NX138AKHH NX138AKHH Fiche technique MOSFET SOT8001 N-CH 60V .26A
PMPB07R3ENAX PMPB07R3ENAX Fiche technique MOSFET SOT1220 N-CH 30V 12A
PMPB07R3ENX PMPB07R3ENX Fiche technique MOSFET SOT1220 N-CH 30V 12A
PMPB33XPZ PMPB33XPZ Fiche technique MOSFET PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6
PMX100UNZ PMX100UNZ Fiche technique MOSFET SOT8013 N-CH 20V 1.3A
PMX300UNEZ PMX300UNEZ Fiche technique MOSFET SOT8013 N-CH 30V .82A
PMX400UPZ PMX400UPZ Fiche technique MOSFET SOT8013 P-CH 20V .9A
Publié le: 2021-02-24 | Mis à jour le: 2025-07-15