onsemi MOSFET EliteSiC M1
Les MOSFET EliteSiC M1 d'onsemi disposent d'une tension nominale de 1 200 V et 1 700 V. Les MOSFET M1 d'onsemi sont conçus pour répondre aux besoins des applications à haute puissance qui exigent fiabilité et efficacité. Les MOSFET EliteSiC M1 sont disponibles en diverses options de boîtier, notamment D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD et pastille nue.
Caractéristiques
- Tensions de 1 200 V et 1 700 V
- Boîtiers D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, à pastille nue
- Tension maximale grille-source +22 V/-10 V
- Faible RDS(on) et temps de tenue aux courts-circuits (SCWT) élevé
- Équilibrage entre les pertes de commutation et les pertes de conduction
- Peut être utilisé pour remplacer des IGBT 1 200 V
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En savoir plus sur EliteSiC
onsemi EliteSiC
Répond aux besoins d'applications exigeantes telles que les convertisseurs solaires et les chargeurs de véhicules électriques.