onsemi MOSFET EliteSiC 1 700 V NTH4L028N170M1
Le MOSFET EliteSiC 1 700 V NTH4L028N170M1 d'onsemi fournit des performances fiables à haut rendement pour les infrastructures énergétiques et les applications d'entraînement industriel. Le MOSFET EliteSiC d'onsemi est doté d'une technologie planaire qui fonctionne de manière fiable avec des commandes de tension de grille négative et élimine les pics sur la grille. Cet appareil a des performances optimales lorsqu'il est piloté par une commande de grille de 20 V, mais fonctionne également sans problème avec une commande de grille de 18 V.
Dans une condition de test de 1 200 V sous 40 A, le MOSFET 1 700 V EliteSiC atteint une charge de grille (Qg) de 200 nC, par rapport aux dispositifs concurrents équivalents, plus proches de 300 nC. Un faible Qg est essentiel pour atteindre une haute efficacité dans des applications de commutation rapide et d'énergie renouvelable à haute puissance.
Le MOSFET onsemi NTH4L028N170M1 1 700 V EliteSiC est logé dans un boîtier TO247-4L avec une connexion de source de Kelvin sur la quatrième broche qui améliore la dissipation d'énergie d'activation et qui réduit le bruit de grille.
Caractéristiques
- Rayonnement std. RDS(on) = 28 mΩ sous VGS = 20 V
- Charge de grille ultra-basse (QG(tot) = 200 nC)
- Commutation ultra-rapide à faible capacité (Coss = 200 pF)
- 100 % testé en avalanche
- Boîtier TO247-4L
- Sans plomb et conforme à la directive RoHS
Applications
- ASI
- Convertisseur CC-CC
- Convertisseur élévateur
Vidéos
Profil du boîtier
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