onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTHL025N065SC1
Le MOSFET onsemi NTHL025N065SC1 au carbure de silicium (SiC) présente des performances de commutation et une fiabilité supérieures. Le MOSFET a une résistance à l'état passant et la taille compacte de sa puce garantit une capacité et une charge de grille faibles. Le système bénéficie donc d'un rendement plus élevé, d'une fréquence de fonctionnement plus rapide, d'une densité de puissance accrue, d'une réduction d'EMI et d'une économie de taille.
Caractéristiques
- Standard RDS(on) = 19 m à VGS = 18 V
- Standard RDS(on) = 25 m à VGS = 15 V
- Charge de grille ultra-faible (QG(tot) = 164 nC)
- Faible capacité (Coss = 278 pF)
- Testés à 100 % en mode avalanche
- TJ = 175 °C
- Ce composant est sans halogénure et conforme à la directive RoHS avec exemption 7 A, 2LI sans plomb (sur interconnexion de deuxième niveau)
Applications
- SMPS (alimentations à découpage)
- Convertisseurs solaires
- ASI (alimentations sans interruption)
- Stockages d'énergie
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Publié le: 2022-05-09
| Mis à jour le: 2023-07-27